سامسونگ تولید نسل نخست تراشه‌های 3 نانومتری خود را آغاز کرد

سامسونگ دیروز رسما تولید اولین نسل از تراشه های 3 نانومتری خود را با فناوری ساخت Gate-All-Around (به اختصار GAA) آغاز کرد.

Samsung Foundry که بخش تولید تراشه این شرکت کره ای است، به تازگی تولید اولین نسل از تراشه های 3 نانومتری خود را آغاز کرده است. تراشه هایی که مبتنی بر فناوری ساخت جدیدی به نام Gate-All-Around هستند که اجازه می دهد تا ترانزیستورهای بیشتری در یک تراشه در یک فضای کوچک قرار گیرند.

در مقایسه با لیتوگرافی 5 نانومتری، تراشه های 3 نانومتری جدید سامسونگ از نظر عملکرد پردازشی تا 23 درصد بهتر از نسل قبلی خواهند بود و در عین حال 45 درصد انرژی کمتری مصرف می کنند. به لطف فناوری جدید، اطراف تراشه که عمدتاً از فضای خالی تشکیل شده بود، اکنون 16 درصد کاهش یافته است تا این شرکت فضای بیشتری برای بزرگ‌نمایی سایر قسمت‌ها مانند باتری گوشی داشته باشد.

سامسونگ تراشه های 3 نانومتری تولید می کند

اینها مشخصات اولین نسل از تراشه های 3 نانومتری سامسونگ است که تولید آن از دیروز آغاز شد. نسل دوم حتی هیجان‌انگیزتر به نظر می‌رسد، زیرا در مقایسه با فناوری تولید 5 نانومتری فعلی این شرکت، 50 درصد کارآمدتر، 30 درصد سریع‌تر و 35 درصد کوچک‌تر هستند. این بدان معناست که در مقایسه با نسل اول خود، 5 درصد اقتصادی تر، 7 درصد سریعتر و 19 درصد کوچکتر خواهد بود که به خودی خود یک پیشرفت محسوس است.

به لطف این فناوری ساخت جدید، سامسونگ از TSMC جلوتر است زیرا این شرکت تایوانی قصد دارد تراشه های 3 نانومتری خود را در اواخر امسال معرفی کند. شایعات همچنین حاکی از آن است که این شرکت نمی خواهد از فناوری تولید GAA استفاده کند و به خود FinFET متوسل خواهد شد. البته عملکرد TSMC در ساخت تراشه واقعا فوق العاده است، اما اگر از فناوری جدید ساخت استفاده نکند و از طرفی سامسونگ بتواند برخلاف همیشه عملکرد خوبی از خود نشان دهد، قطعا توجه بسیاری از شرکت ها معطوف خواهد شد. شرکت کره ای

سامسونگ تراشه های 3 نانومتری تولید می کند

فناوری که سامسونگ برای تولید تراشه های 3 نانومتری خود استفاده می کند GAA MBCFET است

فناوری تولید GAA به شرکت ها اجازه می دهد تا اندازه ترانزیستورها را کوچکتر کنند تا تعداد بیشتری از آنها را روی یک تراشه قرار دهند. هر چه تعداد ترانزیستورها بیشتر باشد جریان بیشتری بین آنها منتقل می شود و در عمل قدرت پردازش و سرعت تراشه بهبود می یابد و مصرف برق کاهش می یابد. با کوچکتر شدن ترانزیستورها، تعداد آنها افزایش می یابد، اما توانایی آنها در انتقال جریان اندکی کاهش نمی یابد، بنابراین می توانیم شاهد بهبود قابل توجهی در سرعت و مصرف انرژی نسل بعدی تراشه ها باشیم.

سامسونگ در حال حاضر در ساخت CPU ها خوب عمل نمی کند و هر چیزی که آنها می سازند در مقایسه با آنچه TSMC می سازد، یا داغ می شود یا از نظر قدرت و سرعت کم می شود. اکنون باید ببینیم که آیا در نهایت می تواند در یک سال با فناوری ساخت 3 نانومتری TSMC را شکست دهد یا خیر.

منبع: GSMArena

نمایش بیشتر

مشاور سئو و طراحی سایت

سلام امید دندان نما هستم مشاور بازاریابی و متخصص طراحی سایت و سئو که در سال 81 وارد دنیای برنامه نویسی شدم و از سال 1386 وارد دنیای بازاریابی و مدرک لیسانس ارتباطات از روی علاقه رفتم گرفتم

دیدگاهتان را بنویسید

دکمه بازگشت به بالا